Optimizan el rendimiento y la durabilidad de los SSD híbridos basados en memoria QLC

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Los SSD híbridos basados en memoria NAND flash de alta densidad y bajo costo están ganando mercado rápidamente, pero la tecnología que utilizan todavía puede mejorarse para aumentar el rendimiento y la vida útil. Esto es lo que afirma haber logrado un equipo de investigadores chinos, aplicando dos estrategias de optimización que abren nuevos caminos para seguir mejorando este tipo de SSD.

El almacenamiento de estado sólido se ha convertido en la opción preferida para muchas categorías de dispositivos, más allá de los usos empresariales, aunque su coste supera de largo al de los HDD. Para ofrecer soluciones más asequibles a fabricantes y clientes finales se está expandiendo el uso de SSD híbridos, que emplean chips de memoria NAND flash de alta densidad y bajo coste, con dos modos flash distintos.

Estos chips, que pueden ser TLC (cuatro bits por celda) o QLC (cuatro bits por celda), se almacenan datos en modo de alta densidad (TCL/QLC) o en un modo de menor densidad y más rendimiento, que se considera como pseudo-SLC (un solo bit por celda). Estos SSD híbridos cambian dinámicamente entre dos modos de flash, según sea necesario, pero este sistema introduce algunos problemas, como revela un trabajo de investigación realizado por un equipo de investigadores chinos.

Estos científicos e ingenieros pertenecen a la Universidad Normal de China Oriental, Shanghai y a la Universidad de Ciencia y Tecnología de Wuhan, y en el artículo que han publicado en la revista IEEEXplore, explican que los mecanismos utilizados para coordinar los dos modos flash no están bien diseñados en las arquitecturas existentes. Para solucionar este problema proponen el sistema que han denominado HyFlex, un rediseño de las estrategias de ubicación de datos y administración de modos flash empleados en los SSD híbridos para lograr una mayor flexibilidad.

Este nuevo sistema se basa en dos estrategias de optimización innovadoras. Una es la programación de E/S basada en la velocidad (VIS) y la otra es el ajuste de capacidad consciente (GCT) de recolección de elementos no utilizados (GC). Según los experimentos que han realizado, HyFlex alcanza un rendimiento superior y mejora la resistencia de los chips de memoria gracias a una mejor utilización de los recursos.

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