Avances hacia una memoria emergente que podría sustituir a NOR flash

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Científicos de una universidad china han desarrollado un nuevo método de conmutación de transferencia de par de giro (STT) asistido por cambio de fase. Según sus creadores, esta tecnología se podría utilizar para fabricar un nuevo tipo de memoria con potencial para sustituir a la actual memoria NOR flash empleada en múltiples aplicaciones.

En los dispositivos electrónicos conviven diferentes tipos de memoria, entre ella la NOR flash, que se emplea para almacenar la BIOS de las placas base, las tarjetas gráficas y para otras aplicaciones en dispositivos y componentes. Se trata de una tecnología antigua y la industria está buscando nuevas soluciones que proporcionen las mismas ventajas y otras nuevas, como una mayor velocidad de lectura o vida útil.

Entre las tecnologías que se están explorando están varias opciones basadas en el acceso aleatorio magnético de transferencia de par de giro (STT). Entre los diferentes desarrollos relacionados con este tipo de memorias emergentes está el uso de la modulación de anisotropía magnética para reducir la corriente de conmutación y, a la vez, ampliar la capacidad de retención de datos de la unión de túnel magnético (MTJ).

Pero esto dificulta la fabricación de chips con una alta vida útil de almacenamiento y capaces de resistir las condiciones de entornos hostiles, ya que la anisotropía magnética perpendicular mejorada de MTJ hace que los métodos de conmutación convencionales eleven el riesgo de ruptura y reduzcan la eficiencia.

Para resolver estos problemas, un equipo de científicos de la Universidad de Beihang, en China, con el apoyo de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China, han presentado una alternativa interesante. En su artículo, publicado en la revista Applied Physics Letters, describen un nuevo método de anisotropía magnética controlada por cambio de fase (PCMA) en un modelo físico de MTJ perpendicular que, según sus simulaciones, proporciona una capacidad de modulación superior.

Además, han determinado que se puede lograr una conmutación rápida y de baja potencia, con una tasa de error muy baja y una alta estabilidad térmica. Afirman que sus resultados demuestran que la estrategia de conmutación PCMA-STT es más adecuada para MTJ con una gran anisotropía magnética perpendicular, lo que en su opinión abre las puertas a un nuevo tipo de memoria que podría sustituir a la memoria NOR flash.

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