Investigan un nuevo material para los contactos en la memoria de cambio de fase

  • Noticias y Actualidad

semiconductores

Un equipo de investigadores japoneses y rusos está trabajando con un nuevo compuesto químico que se puede usar para los contactos eléctricos en la memoria de cambio de fase. Este material exhibe propiedades excelentes para tecnologías como la memoria PCRAM, que formarán parte de las infraestructuras de computación más avanzadas en el futuro.

La industria informática lleva tiempo trabajando en las tecnologías de memoria de cambio de fase, tanto para el almacenamiento de estado sólido como para la memoria de trabajo que sustituirá a la DRAM actual. Este tipo de memoria se basa en un material que puede cambiar entre dos estados por la acción de un impulso eléctrico, pero los chips de memoria incluyen otros componentes que son vitales para su buen funcionamiento.

Entre ellos están los contactos eléctricos por los que se transmiten estos impulsos, y un equipo de investigadores de varias universidades e instituciones de investigación de Japón y Rusia están trabajando en un nuevo compuesto que puede mejorar el rendimiento de los actuales. Se trata de electrodos fabricados con un compuesto de W y CGT (Cu2GeTe3), material empleado en este tipo de memoria, que permite acelerar el cambio de estado entre la fase amorfa y la fase cristalina del soporte de memoria.

Esta velocidad superior parece ser la respuesta a las necesidades propias de la Memoria de Acceso Aleatorio de Cambio de Fase (PCRAM), futura sustituta de la DRAM actual. En arquitecturas de computación tradicionales esta memoria de trabajo debería tener un rendimiento superior a la destinada al almacenamiento, donde también se podrán utilizar memorias de cambio de fase.

En el trabajo que han publicado estos investigadores se incluyen pruebas de un dispositivo fabricado con este compuesto, en las que se revela una mejor conductividad eléctrica, que resulta en un mayor rendimiento de escritura y de lectura en las celdas de memoria. Los investigadores afirman que “estos resultados sugieren que la interfaz entre el electrodo metálico y el material de cambio de fase juega un papel importante en los dispositivos PCRAM, y su comprensión integral es necesaria para el desarrollo de aplicaciones futuras”.

Más información

¿Cuál es el futuro del mercado de almacenamiento? ¿Qué tecnologías son las más adecuadas? Si quieres obtener más información sobre un segmento en crecimiento puedes visitar la página de nuestro colaborador Western Digital.