Anuncian los primeros chips NAND Flash de 176 capas

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Uno de los fabricantes más destacados de la industria de memoria ha anunciado sus primeros chips NAND Flash de 176 capas, la siguiente evolución de los chips de silicio de los discos SSD. Esta memoria, que han denominado 4D NAND Flash, no solo cuenta con más capas de celdas, sino que incluye otras innovaciones que pretenden mejorar el rendimiento y reducir el consumo.

La tecnología de memoria 3D NAND Flash continúa evolucionando, y cada año surge una nueva generación de chips con más capas de celdas, lo que incrementa la capacidad disponible. En 2020 han llegado masivamente al mercado los de 92/96 capas, y este año se espera que la industria promocione la siguiente generación, que tiene en torno a 128 capas. Mientras algunos de los principales fabricantes están lanzando a producción las primeras remesas de unidades de esta generación, la firma SK Hynix acaba de anunciar sus próximos chips de 176 capas, con una capacidad de 512 Gb y tecnología TLC (Triple Level Cell).

El fabricante coreano denomina a su tecnología 4D NAND Flash, ya que no solo ha incrementado el número de capas, sino que ha modificado su arquitectura con varis innovaciones que la diferencian de los chips 3D NAND convencionales. Estas mejoras ya se encontraban presentes en la generación anterior de chips de 96 capas, lanzadas este año, y consisten en una combinación de Trampas de Carga Flash (CTF) con integración de Peri Under Cell (PUC).

Estas innovaciones no solo tienen como objetivo mejorar el desempeño de los chips, sino que prometen un mayor aprovechamiento de las obleas de silicio, algo que puede contribuir de forma decisiva a reducir el coste de fabricación en proporción a la capacidad. Sus creadores afirman que permite mejorar la productividad del troquel en un 35% en comparación con los chips de la generación anterior.

En cuanto al desempeño de la memoria, aseguran que permite acelerar la velocidad de lectura de las celdas en un 20%, gracias a la adopción de tecnología de selección de matriz de celda, de dos divisiones. Y también afirman que la velocidad de transferencia de datos es un 33% más elevada, pudiendo llegar a 1,6 Gbps, un logro conseguido sin incrementar la cantidad de procesos en la fabricación.

Este nuevo tipo de memoria ha sido enfocado inicialmente a las soluciones para dispositivos móviles, donde ofrecen una velocidad de lectura un 70% más alta que con las tecnologías actuales, y una velocidad de escritura un 35% superior. Y se espera que los primeros productos puedan llegar al mercado hacia mediados de 2021. Posteriormente, el fabricante planea lanzar los primeros SSD para empresas y consumidores, elevando la capacidad y el rendimiento a un nuevo nivel.

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