Más confiabilidad para la memoria 3D NAND
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Investigadores chinos han estudiado los factores que aumentan el ruido en los procesos de escritura y lectura de la memoria 3D NAND, especialmente la que permite almacenar varios bits por celda. Han demostrado que es posible reducir el deterioro de su confiabilidad empleando una forma distinta de estimar los voltajes de referencia de lectura óptimos.
La tecnología de memoria NAND ha evolucionado mucho con la posibilidad de almacenar varios bits en cada celda, y gracias al apilamiento de capas en 3D, pero este tipo de memoria 3D NAND multinivel adolece de ciertos problemas que reducen su confiabilidad y su vida útil. Estas celdas de memoria multinivel suelen ser vulnerables a muchos tipos de ruido a nivel de circuito, que distorsionan la distribución del voltaje de umbral e impulsan el deterioro de la confiabilidad de los chips.
Para mejorar sus parámetros de funcionamiento se está trabajando en la caracterización de la distribución del voltaje de umbral y en el modelado de voltajes de referencia de lectura óptimos. Recientemente, un equipo de investigadores de la Universidad de Tecnología de Guandong y de la Universidad de Ciencia y Tecnología de Huazhong, en China, ha presentado un trabajo centrado en este campo.
En el artículo que han publicado en la revista IEEE Transactions on Consumer Electronics, describen una solución para mejorar la confiabilidad de este tipo de memoria NAND Flash, que además reduciría su coste de implementación. Proponen un método de procesamiento que implica menos pasos de voltaje de escaneo de las celdas, reduciendo la sobrecarga de tiempo y el consumo energético de las diferentes operaciones de lectura durante la caracterización de las distribuciones del voltaje de umbral.
Mediante lo que denominan un “método de estimación asíncrona de estado único” (SSAE) se pueden estimar los voltajes de referencia de lectura óptimos, reduciendo a la mitad la sobrecarga computacional y de espacio con respecto al método avanzado de estimación asíncrona de dos estados (TSAE). Y afirman que su sistema reduce el RBER (Residual Bit Error Rate) con respecto al uso de los voltajes de referencia de lectura predeterminados, sin tener u conocimiento exacto del ruido.
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