Estabilidad térmica y cristalización mejoradas en la memoria de cambio de fase

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Científicos indios han desarrollado una técnica para mejorar la estabilidad térmica y el mecanismo de cristalización de los materiales empleados en la memoria de cambio de fase. Dopando las películas de material PCM con el elemento químico Samario han logrado mejorar estos parámetros, así como el rendimiento de los dispositivos de memoria.

El desarrollo de nuevos materiales es clave para muchas tecnologías de vanguardia en el campo del almacenamiento de datos, como la memoria de cambio de fase (PCM), que se basa en el cambio de pequeñas porciones de un material entre un estado cristalino y otro amorfo, pudiendo mantener esta condición a largo plazo. Muchos investigadores están trabajando en el desarrollo de esta tecnología, y se enfrentan a numerosos desafíos para aumentar la capacidad, la confiabilidad, la vida útil y el rendimiento de los dispositivos PCM.

En los últimos años se ha producido numerosos avances en relación a la memoria de cambio de fase, y recientemente un equipo de científicos de la Universidad de Tecnologías de la Información de Jaypee, en India, ha presentado un trabajo con el que afirman se puede mejorar la estabilidad térmica y el mecanismo de cristalización de películas de Ge2Sb2Te5 empleadas en la memoria de cambio de fase, dopando este compuesto con el elemento químico Samario.

Según plantean en su estudio, al depositar este elemento sobre la lámina de material de cambio de fase se establece un enlace químico Sm-GST que mantiene las partículas en el lugar en el que se depositaron, algo que han podido observar con diferentes técnicas de microscopía. Y con ellas han logrado determinar que la adición de este elemento aporta ciertas propiedades al conjunto, mejorando su estabilidad térmica y facilitando el cambio desde la fase amorfa a la cristalina.

Afirman que las propiedades que aporta este elemento permitirían fabricar dispositivos de memoria de cambio de fase de más rendimiento y, posiblemente, con una mayor resistencia y confiabilidad. Y seguirán trabajando para mejorar la técnica que han desarrollado, en busca de mejores procesos de fabricación para este tipo de memoria, que podría convertirse en una de las memorias de clase de almacenamiento más populares en los dispositivos electrónicos del futuro.

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