Crean una memoria flexible y cuasi volátil basada en transistores orgánicos
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Investigadores chinos han desarrollado una tecnología de memoria multinivel cuasi volátil basada en un concepto de transistor vertical orgánico, que podría utilizarse como memoria universal. Afirman que su diseño permite una velocidad de conmutación y una densidad lo suficientemente elevadas como para cerrar la brecha que existe actualmente entre la memoria volátil y no volátil en la informática actual, que además permitiría la fabricación de dispositivos flexibles.
Las tecnologías de computación y almacenamiento actuales tienen ciertas limitaciones que están apreciándose cada vez más con el avance de la computación en la nube, la inteligencia artificial, los dispositivos IoT y otras tecnologías de vanguardia que generan, almacenan y consumen grandes cantidades de datos. Una de las barreras a superar es la limitación de capacidad y la volatilidad de la memoria DRAM en las plataformas informáticas, y la industria está buscando nuevas tecnologías que puedan para sustituir o complementar a esta memoria.
Para logarlo se han propuesto numerosas alternativas de memoria no volátil de alto rendimiento, y ahora un equipo de investigadores de la Universidad de Fuzhou y del Laboratorio de Innovación de Ciencia y Tecnología de Fujian para Información Optoelectrónica de China han presentado una nueva propuesta. En el trabajo técnico que han publicado en la revista Nano Research describen un nuevo tipo de memoria cuasi volátil basada en transistores verticales orgánicos, que admite varios niveles.
Afirman que este enfoque abre las puertas a la creación de una memoria universal, capaz de sustituir a la memora DRAM convencional, permitiendo además la fabricación de dispositivos tipo RAM flexibles y de bajo consumo. Consideran que su diseño aborda el denominado “muro de almacenamiento” que existe entre la memoria no volátil (DRAM) y la memoria volátil, que está dificultando la evolución de ciertos aspectos clave de los sistemas informáticos modernos.
Lo más destacable de su invención es la utilización de un transistor casi volátil basado en una mezcla de puntos cuánticos de polímero orgánico y perovskita, para el que han empleado un diseño de transistor vertical. Explican que su diseño y el material empleado les ha permitido fabricar un dispositivo de memoria con un tiempo de retención de datos superior a 100 segundos, 1.560 veces superior al de la DRAM convencional. Y logra una velocidad de programación de datos de unos 20 picosegundos, más veloz que otras memorias orgánicas no volátiles.
Y explican que las características de retención de datos del dispositivo podrían mejorarse más, empleando la estimulación sinérgica fotoeléctrica, que ya les ha permitido reducir la velocidad de escritura eléctrica convencional. La última característica que destacan de su propuesta es que proporciona un buen rendimiento eléctrico en condiciones de flexión, lo que permitiría fabricar una memoria cuasi volátil que podría utilizarse para fabricar dispositivos flexibles de diversa naturaleza.
