Desarrollan un transistor no volátil basado en polímeros
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Científicos chinos han logrado desarrollar un material basado en polímeros dieléctricos con el que se pueden fabricar transistores de memoria no volátil. Esto permitiría fabricar estructuras similares a las empleadas en la memoria NAND flash, lo que daría lugar a dispositivos semiconductores no basados en el silicio, que servirían para el almacenamiento, entre otras utilidades.
La industria de memoria ha avanzado mucho en los últimos años, pasando de fabricar memoria de trabajo como la DRAM y unos pocos chips de memoria no volátil como los clásicos CMOS a dar un salto enorme con la aparición de la memoria flash. Posteriormente, la llegada de tecnologías como 3D NAND o la memoria de punto de cruce han permitido dar nuevos pasos hacia un almacenamiento eléctrico más eficiente, duradero y rápido que los clásicos HDD.
Pero todas estas tecnologías se basan en el silicio, un material que no es especialmente escaso, pero que tiene sus limitaciones. Ahora, un equipo de investigadores de la Academia China de Ciencias ha publicado un artículo en el que describen una nueva estructura de memoria basada en un material compuesto por polímeros dieléctricos. Hasta ahora, las propuestas sobre Memoria de Transistores No Volátiles (NVTM) solo lograban alcanzar un rendimiento muy limitado, pero estos investigadores afirman que con su nuevo material se pueden lograr dispositivos de mucho más rendimiento.
En su artículo comentan que sus memorias NVTM se fabrican con una mezcla de polímeros dieléctricos, compuesta por acrilato de pentafluorofenilo (pPFPA) y poli etilenimina ramificada (bPEI). Sus investigaciones revelan que esta mezcla tiene una alta constante dieléctrica (K= 285 a 20 Hz) y otras características fundamentales para la fabricación de memoria, como unas propiedades mecánicas y eléctricas similares a las que muestran otros compuestos usados tradicionalmente en la industria de semiconductores.
Aunque, según su artículo, quizá lo más importante de su descubrimiento sea que la corriente de drenaje de las puertas lógicas creadas con este polímero se puede controlar con el ancho de pulso del voltaje de la puerta. Esto, según su investigación, abre las puertas a la creación de estructuras de almacenamiento bidimensionales (voltaje y tiempo), que se pueden usar efectivamente en aplicaciones de almacenamiento de datos, cifrado y protección de datos, con un rendimiento superior a lo visto anteriormente en desarrollos similares.
