Materiales más estables y eficientes para la memoria de cambio de fase

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chip procesador

Científicos chinos han desarrollado un nuevo material que se podría utilizar para fabricar memorias de cambio de fase con una mayor estabilidad térmica y un menor consumo energético. Además, aseguran que sus especiales características permitirían alargar la vida útil de este tipo de memoria, manteniendo unas prestaciones a la altura de los objetivos de la industria.

La tecnología de memoria de cambio de fase promete ofrecer dispositivos más rápidos, eficientes y con una mayor durabilidad que la memoria convencional. Además, se espera que permita superar las limitaciones de capacidad de DRAM que impiden aumentar la densidad de memoria de trabajo en las plataformas informáticas. Los académicos e investigadores de la industria están trabajando en este campo para desarrollar nuevas tecnologías y materiales para la memoria de cambio de fase.

Un ejemplo es el trabajo de un equipo de investigadores de la Academia de Ciencias de China, publicado recientemente en la revista Journal of Electronic Materials. En él describen un nuevo material basado en una película de C/Sb con propiedades de cambio de fase y una estructura de tipo “superentramado”, que promete mejorar las propiedades de las películas monocapa de Sb que se emplean en muchos prototipos de memoria de cambio de fase.

En su artículo explican que las películas de C/Sb con esta estructura presentan propiedades como una temperatura de cristalización más elevada, una vida útil más prolongada y una mayor energía de activación de cristalización. A medida que se incrementa el espesor de la capa de carbono que incluye este compuesto, se incrementa gradualmente la brecha de banda y se inhibe el crecimiento del grano.

Con estas capacidades, aseguran que este nuevo material permitiría fabricar memorias de cambio de fase con umbrales de voltaje más pequeños, que se traducirían en una mayor estabilidad térmica, un menor consumo energético y una mayor vida útil. Este hallazgo abre las puertas a la fabricación de una memoria de cambio de fase más eficiente y duradera, cn unas propiedades de rendimiento dentro de los estándares actuales.

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