Nuevas aleaciones para fabricar memoria de cambio de fase analógica

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Científicos estadounidenses han hallado propiedades eléctricas y estructurales en ciertas aleaciones que podrían servir para fabricar mejores memorias de cambio de fase analógicas. Esto permitiría fabricar nuevos dispositivos de memoria analógicos con propiedades basadas en el cambio binario entre estado cristalino y amorfo, que podrían tener muchas aplicaciones en el futuro.

La investigación de tecnologías de memoria de cambio de fase (PCM) está proporcionando importantes avances que permitirán fabricar dispositivos de almacenamiento de ultra alta densidad con un bajo consumo energético. Esta tecnología podría tener numerosas aplicaciones en la industria tecnológica en el futuro, y muchos laboratorios de investigación están trabajando en este campo, tanto en diseño como en desarrollo de nuevos materiales.

Recientemente, un equipo de investigadores estadounidenses del Instituto Politécnico SUNY, el IBM AI Hardware Center, el Manhattan College, la Universidad de Stony Brook y el Laboratorio Nacional de Brookhaven, en Nueva York han publicado un estudio sobre nuevos materiales que podrían servir para fabricar memoria PCM analógica. En el artículo que han publicado en la revista Journal of Applied Physics, explican que su trabajo se ha centrado en el estudio de las propiedades de los materiales de películas delgadas de aleación de Ga-Sb depositadas en condiciones de vacío ultraalto.

Han podido determinar que este material permite la cristalización y el posterior cambio a una fase amorfa en condiciones de altas temperaturas, aplicando energía para efectuar el cambio de fase. La arquitectura planteada en el diseño de esta protomemoria muestra la necesaria resistencia al cambio de fase, que debe ser inducido activamente, una característica fundamental para que un material sea apto como soporte para la memoria de cambio de fase.

En su investigación han realizado pruebas durante alrededor de 100 ciclos de conmutación, que han revelado que la variación en el tamaño de los granos del material y en el contenido de Ga es despreciable, lo que hace que la conmutación sea completamente reversible. Esto lo habilita para fabricar celdas de memoria de cambio de fase analógicas, por lo que los investigadores seguirán trabajando para explorar las capacidades como soporte para futuras memorias PCM.

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