Capa de traducción flash dual para chips de memoria NAND

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Investigadores chinos han desarrollado una nueva capa de traducción flash (FTL) basada en localización dual para mejorar el desempeño de la memoria NAND flash en los dispositivos de electrónica de consumo. Esta tecnología permite aumentar la tasa de aciertos de caché y reducir el tiempo de respuesta del sistema con respecto a la tecnología empleada en la mayoría de sistemas de almacenamiento basados en este tipo de memoria.

Uno de los componentes fundamentales de los dispositivos de almacenamiento basados en memoria NAND es la capa de traducción flash (FTL). Se trata de una combinación de hardware y software que se encarga de la traducción lógica y física de las direcciones y la administración de bloques defectuosos, entre otras tareas fundamentales para el funcionamiento de los SSD, las tarjetas de memoria y otros dispositivos basados en esta memoria.

En la parte de software, la capa de traducción flash a nivel de página (PLFTL) proporciona un rendimiento de acceso E/S muy elevado, pero un equipo de investigadores de la Universidad Normal de Fujian, de la Universidad de Huaqiao y de la Universidad de Sichuan proponen una mejora de esta tecnología. En un artículo publicado en la revista IEEE Transactions on Consumer Electronics anuncian DL-FTL, una nueva estructura FTL que explota la localidad temporal y espacial de las cargas de trabajo.

Para ello emplea la tabla de estado de asignación de caché secuencial (S-CMST) y la tabla de asignación de caché de dirección física secuencial (SPA-CMT) para procesar las solicitudes secuenciales. El funcionamiento de esta nueva capa de traducción dual se basa en una estrategia de actualización por lotes, y promete mejorar varios parámetros clave del funcionamiento de los dispositivos de almacenamiento.

En sus experimentos han demostrado que DL-FTL es capaz de incrementar la tasa de aciertos de caché en un 66,39% y reducir el tiempo de respuesta del sistema en una medida de hasta el 21,64%, en comparación con el PLFTL basado en la demanda. Esto permitiría acelerar los medios de almacenamiento empleados en multitud de dispositivos de electrónica de consumo.

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