Memoria PCM más rápida y eficiente

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Investigadores de India han desarrollado un esquema de clasificación de materiales basado en la dinámica de conmutación de umbral que servirá para mejora las capacidades de la memoria de cambio de fase. Esta tecnología promete una velocidad de programación similar a la de la memoria SRAM con una mayor eficiencia energética, características ideales para la informática del futuro.

El desarrollo de la tecnología de memoria de cambio de fase está avanzando a buen ritmo gracias al trabajo de numerosos investigadores que se han enfocado tanto en la tecnología de grabación en sí como en el estudio de materiales con las capacidades físicas necesarias para la memoria PCM.

Una de las últimas aportaciones que se han hecho a este campo es el trabajo realizado por un equipo de ingenieros del Indian Institute of Technology Madras, en Chennai (India), que se ha publicado en la revista Physica Status Solidi Rapid Research Letters. En él describen un nuevo esquema de clasificación de materiales para la fabricación de memoria de cambio de fase, que promete mejoras importantes en rendimiento y eficiencia.

En este trabajo comentan cómo el descubrimiento realizado por S.R. Ovshinsky de la conmutación eléctrica de calcogenuro ha proporcionado un nuevo camino para el desarrollo de tecnologías de memoria no volátil de alta velocidad. En su investigación, estos ingenieros han revisado las propiedades de conmutación de umbral en varios materiales de calcogenuro, así como la conmutación de umbral ovónico (OTS) y la conmutación de memoria ovónica (OMS), la propia naturaleza de la conmutación de umbral y otras características relacionadas con la aplicación y regulación del voltaje para llevar a cabo los procesos de programación en este tipo de memoria.

Fruto de este trabajo mejorado la comprensión de la conmutación de umbral en la escala de picosegundos y han hallado los puntos en común entre OTS y OMS y los posibles mecanismos subyacentes. Esto les ha permitido desarrollar un esquema de clasificación de materiales basado en la dinámica de conmutación de umbral, lo que a priori permitirá escoger mejores materiales para la fabricación de memoria de cambio de fase.

Afirman que gracias a este esquema es posible fabricar una memoria PCM con una velocidad de programación ultrarrápida, similar a la que ofrece la memoria SRAM, pero con una eficiencia energética superior. Esto tiene una gran importancia para lograr construir dispositivos electrónicos más potentes, rápidos y eficientes, en los que se podrían integrar una memoria y un almacenamiento con la velocidad necesaria para trabajar adecuadamente con los procesadores y las aplicaciones de alto rendimiento y baja latencia.

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