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La memoria NRAM podría acelerar el rendimiento HDD y SSD

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La llamada memoria RAM de nanotubos de carbono pretende sustituir a la DRAM en sus muchas de sus aplicaciones, entre las que se encuentra la memoria intermedia de los discos duros, acelerando su rendimiento. Y, en un futuro, este tipo de chips podría convertirse en un sustituto viable para la tecnología NAND Flash.

La investigación relacionada con nanotubos de carbono abarca multitud de campos dentro de la electrónica, y uno de ellos es la memoria de tipo no-volátil. Desde 2001 la compañía Nantero está desarrollando un nuevo tipo de chips de memoria basados en estructuras construidas con nanotubos de carbono, conocida como NRAM. Desde entonces diferentes multinacionales han invertido en este proyecto, principalmente para crear nuevos chips de memoria que sustituirían a la actual DRAM. Según afirman sus inventores, esta tecnología permitirá aumentar las capacidades de la memoria RAM actual, con una menor latencia y una gran durabilidad. Según los escasos datos publicados sobre su diseño y funcionamiento, esta memoria emplea una capa de nanotubos de carbono que se sitúan adyacentes o distribuidos entre las capas de transistores. Al aplicar una tensión estos tubos se flexionan, abriendo y cerrando puntos de contacto entre los nanotubos y creando múltiples “caminos” a través de la matriz que reducen mucho la resistencia. Esta posición se mantiene gracias a las llamadas fuerzas de Van der Vaals, y al aplicar un impulso inverso estos “enlaces” se rompen, reduciendo de nuevo la resistencia. Estas propiedades, según afirman sus creadores, otorgan a la memoria NRAM una durabilidad sin igual. Podrían mantener la información almacenada durante 1.000 años a una temperatura de 90° C y 100 años a 300° C. La velocidad de conmutación sería de tan solo 20 picosegundos, y la de escritura sería de 5 nanosegundos, con una resistencia comprobada de 1011 ciclos, aunque se espera que esta cifra sea mucho mayor. Estas propiedades le otorgan un rendimiento muy elevado que le permitiría competir con las actuales memorias DRAM.

Además, tiene la ventaja de ser no-volátil, por lo que podría optimizar procesos como la entrada de reposo y posterior puesta en marcha de los equipos. Uno de los puntos fuertes que aporta esta tecnología es que no necesita un respaldo de energía, como sí ocurre con la memoria que incluyen los discos duros HDD y SSD, situada en una capa intermedia entre los chips de almacenamiento y la interfaz externa. Gracias a esta capacidad, y a que su rendimiento supera a la DRAM, podría convertirse en un sustituto viable para proporcionar mejor rendimiento a los discos duros, tanto magnéticos como de estado sólido.

Las compañías más involucradas con los creadores de NRAM esperan poder ofrecer los primeros productos en 2019, aunque de momento no se ha especificado a qué aplicaciones estaría dedicada. Presumiblemente, serán sustitutos de DRAM, pero si sus se comprueba su viabilidad como memoria intermedia para medios de almacenamiento, en poco tiempo podrían verse nuevos discos duros magnéticos y SSD con más velocidad. Sus desarrolladores son ambiciosos pero cautos y, aunque esta memoria no-volátil podría convertirse en un sustituto viable para los actuales chips de almacenamiento NAND Flash, construir chips de almacenamiento basados en NRAM supone ciertos retos tecnológicos que aún deben afrontarse a nivel de ingeniería. Lo que sí resulta esperanzador es que, de producirse con éxito este desarrollo, la memoria de estado sólido podría alcanzar unas cotas de fiabilidad y resistencia muy superiores a lo que puede ofrecer la tecnología NAD Flash a día de hoy y de cara a los próximos años.

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